Herstellung und Charakterisierung SrTiO3-basierter Speicherzellen

Resistive Speicher (ReRAMs) bilden eine Gruppe von multifunktionalen, hochdichten und ultraschnellen Speichern, die künftig als Ersatz u.a. für Flash-Speicher oder in sogenannten neuromorphen Systemen eingesetzt werden können. Das Speicherkonzept von ReRAMs beruht auf einer Widerstandsänderung des aktiven Materials auf der Nanometer-Skala. Diese Widerstandsänderung in Metall-Isolator-Metall-Strukturen (MIM) entsteht durch elektrisch-induzierte lokale Redoxreaktionen in Übergangsmetalloxiden.
SrTiO3 stellt ein optimales Modellsystem für die Untersuchung von filamentärem resistivem Schalten dar. Eine neue Möglichkeit das Schaltverhalten von SrTiO3-basierten ReRAMs zu verbessern ist das Aufbringen einer Kohlenstoffschicht zwischen Top-Elektrode und SrTiO3. Ziel dieser Arbeit wird es sein, MIM-Strukturen mit zusätzlicher Kohlenstoffschicht herzustellen und zu charakterisieren und so das verbesserte Schaltverhalten zu ergründen. Hierbei ist eine der zentralen Fragen, wie die zusätzliche Kohlenstoffschicht den Sauerstoff-Ein- und -Ausbau beeinflusst.

Herstellung der epitaktischen SrTiO3-Schichten mittels Pulsed Laser Deposition und zusätzliches Aufbringen einer Kohlenstoffschicht
Spektroskopische Untersuchung der Proben
Elektrische Charakterisierung des resistiven Schaltvorgangs

Weitere Informationen

Unternehmen

Helmholtz Gemeinschaft

Bereich/Abteilung

Peter Grünberg Institut (PGI-7) - FZ Jülich; Elektronische Materialien

Abschlussart

Masterarbeit

Ansprechpartner/in

Prof. Dr. Regina Dittmann/Felix Hensling, M.Sc.
Peter Grünberg Institut (PGI-7) - FZ Jülich
Tel. 02461-61-4760 / 02461-61-6302
E-mail: r.dittmann@fz-juelich.de / f.hensling@fz-juelich.de

Branche

Elektrotechnik

Anforderungen

Gute Kenntnisse in Physik und Chemie
Spaß an interdisziplinärer Arbeit
Experimentelles Geschick
Teamfähigkeit

Zusatzinformationen