Charakterisierung von Ober- und Grenzflächen in Verbindungshalbleiter-basierenden Schichtstapeln für energiewandelnde Bauteile

Die Nachwuchsgruppe “Grenzflächendesign” untersucht den Struktur-Funktions-Zusammenhang zwischen der chemischen und elektronischen Ober- und Grenzflächencharakterisitk in Dünnschicht-Schichtstapeln und den Eigenschaften von energiewandelnden Bauteilen. Sie betreibt ein Labor basiertes Ultrahochvakuum (UHV) Oberflächenanalysesystem, das HiKE Setup an BESSY II und ist verantwortlich für die UHV-basierte Spektroskopie an EMIL.

Aufgabengebiete:

• Untersuchung der chemischen und elektronischen Ober- und Grenzflächeneigenschaften von Verbindungshalbleiter-basierenden Schichtstapeln wie sie in energiewandelnden Bauteilen (wir z.B. Solarzellen, Batterien, Brennstoffzellen, LEDs, …) angewendet werden
• Unabhängige Kommunikation und Zusammenarbeit mit den Projektpartnern zwecks Organisation des Probenaustausches und der Messkampagnen
• Präsentation von Ergebnissen, Erstellen von Berichten
• Präsentation und Publikation der Ergebnisse auf internationalen Konferenzen/Workshops bzw. in qualitativ hochwertigen, begutachteten wissenschaftlichen Zeitschriften
• Mitarbeit bei der Wartung und des Inbetriebhaltens des UHV Analysesystems

Weitere Informationen

Unternehmen

Helmholtz Gemeinschaft

Bereich/Abteilung

Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie (HZB)

Abschlussart

Dissertation

Ansprechpartner/in

Prof. Dr.-Ing. Marcus Bär
030-8062 43824
marcus.baer@helmholtz-berlin.de

Branche

Forschung und Entwicklung

Anforderungen

• Erfahrung auf dem Gebiet der Röntgen- und Synchrotron-basierten Analysemethoden
• Erfahrung im Umgang mit UHV Equipment sowie Expertise auf dem Gebiet der Photoelektronenspektroskopie
• Erfahrung auf dem Gebiet der Analyse von Ober- und Grenzflächeneigenschaften von Verbindungshalbleitern und deren Modifikation/Optimierung ist von Vorteil
• Fähigkeit technische Sachverhalte vernünftig zu beurteilen, Analysefähigkeit , ausgeprägte schriftliche und mündliche Kommunikationsfähigkeit in Englisch (Deutsch von Vorteil)
• Solides Hintergrundwissen auf dem Gebiet der Halbleiterphysik (bevorzugt von energiewandelnden Bauteilen) ist von Vorteil

Zusatzinformationen

Kennziffer: EE 2016/10

Sind Sie interessiert? Dann bewerben Sie sich bitte bis spätetens 18.03.2016 unter folgendem Link:

https://recruitingapp-5181.de.umantis.com/Vacancies/333/Application/New/1

For English version, please click on the following link:

https://recruitingapp-5181.de.umantis.com/Vacancies/333/Description/2

Helmholtz-Zentrum für Materialien und Energie GmbH
Hahn-Meitner-Platz 1
14109 Berlin
www.helmholtz-berlin.de