Erweiterung eines Photolumineszenz-Messplatzes für ODMR-Messungen

Photolumineszenz-Messungen stellen in der Halbleiterphysik eine häufig genutzte Methode zur Analyse defektbedingter Übergänge in Halbleitern und Isolatoren dar. Dabei wird die zu untersuchende Probe mittels Lichteinstrahlung in angeregte Zustände versetzt, die in Photonen-emittierenden Relaxationsprozessen münden. Das von der Probe ausgesandte Licht wird untersucht und ermöglicht eine Analyse der elektronischen Struktur des Materials.

Für die zweifelsfreie Zuordnung der Lumineszenz zu einem Defektmodell bedarf es der Korrelation zwischen optischen und mikroskopischen Eigenschaften der Probe. Beide Eigenschaften müssen gleichzeitig erfasst und ausgewertet werden. Eine Methode, die genau dies erlaubt, ist die optisch detektierte magnetische Resonanz-Messung (ODMR). Dabei wird das defektspezifische Licht detektiert, um die Elektronenspinresonanz des Defektzentrums zu messen.

Um in Zukunft sogar einzelne magnetische Spins detektieren zu können, soll der bei uns vorhandene PL-Messplatz im Rahmen dieser Masterarbeit für ODMR-Messungen erweitert werden. Dabei soll nach Einarbeitung und Kennenlernen des Aufbaus ein Konzept zur Verwirklichung der ODMR-Messungen geplant und umgesetzt werden.



Weitere Informationen

Unternehmen
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V.
Bereich/Abteilung
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Abschlussart
Masterarbeit / Diplomarbeit
Branche
Forschung und Entwicklung
Schlagwörter
Elektronenspinresonanz ODMR Defektmodell Lichteinstrahlung Isolator Halbleiter
Anforderungen
• Masterstudiengang in Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik, Ingenieurwesen oder Physik
• Grundlegende Kenntnisse in Festkörperphysik und Optik
• Grundkenntnisse in Programmierung
• Freude an praktischer Laborarbeit
• Teamfähigkeit, Offenheit und Motivation zu eigenständiger, zielgerichteter Arbeit
Zusatzinformationen
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

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Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III/V-Halbleiter und des Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische und optoelektronische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie und Kommunikation im Vordergrund.

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