Herstellung und Untersuchung von MoSi Schichten

Übergangsmetall-Silizide wie NiSi oder PdSi spielen eine wichtige Rolle in der Mikroelektronik, z.B. als elektrische Kontakte in der CMOS Technologie. W/Si und Mo/Si Multilagen, bei denen sich Silizide an den Grenzflächen bilden, werden als Röntgenspiegel, z.B. für EUV Lithographie, eingesetzt.

Trotz dieser vielfältigen Anwendungen gibt es noch viele offene Fragen zur Silizidbildung. Für MoSi Legierungen wurde beobachtet, dass die kristalline oder amorphe Struktur der Schichten stark von der Konzentration abhängt und sich bei einer kritischen Schichtdicke ändert. In Kollaboration mit der Universität Poitiers untersuchen wir diesen Übergang mit verschiedenen Methoden während und nach der Schichtherstellung. Im Rahmen der Masterarbeit sollen MoSi Schichten mit unterschiedlichen Siliziumkonzentrationen hergestellt und mit verschiedenen Methoden (z.B. AFM, XRD, XRR, XPS) analysiert werden. Die Arbeit beinhaltet auch einen 2-3 wöchigen Aufenthalt im Partnerinstitut.

Weitere Informationen

Unternehmen

Helmholtz Gemeinschaft

Bereich/Abteilung

Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)

Abschlussart

Bachelorarbeit / Masterarbeit / Diplomarbeit

Branche

Chemie und Pharmazie

Schlagwörter

Schichtherstellung Silizbildung CMOS Halbleiterelektronik Mikroelektronik

Anforderungen

Physik (oder Materialwissenschaften, physikalische Chemie)

Zusatzinformationen

Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)

Bei entsprechender Eignung werden schwerbehinderte Bewerber/innen bevorzugt berücksichtigt.