Statistische Analyse des Dunkelstromverhaltens in antimonidischen Übergitter-Detektoren

Im Bereich kryogekühlter, bildgebender Detektormatrizen für den infraroten Spektralbereich von 3 – 12 µm rücken III/V-Halbleiterdetektoren auf Basis antimonidischer Übergitter zunehmend in das Zentrum internationaler Forschungs- und Entwicklungsarbeiten. Neben monospektralen Detektoren lassen sich auf Übergitterbasis auch hochmoderne, bispektrale Infrarot-Detektoren realisieren. Gegenwärtig ist die präzise Analyse der limitierenden Strommechanismen und die hochgenaue Extraktion von Material- und Bauelementparametern ein wichtiger internationaler Forschungsschwerpunkt.

Im Rahmen der Masterarbeit soll daher das Dunkelstromverhalten mehrerer Probenserien von InAs/GaSb-Übergitterdioden mit hoher statistischer Relevanz untersucht werden. Dies beinhaltet die elektrooptische Charakterisierung einer großen Zahl von Bauelementen mittels hochmoderner Kryomesstechnik sowie eine weitgehend automatisierte Auswertung der Daten durch Modellanpassung.

Ihre Arbeitsschwerpunkte:

• Elektrooptische Charakterisierung einer statistisch großen Zahl von Dioden mittels halbautomatischem kryogenem Waferprober und weiterer Labormesstechnik
• Entwicklung einer geeigneten LabView-Software zur automatisierten Modellanpassung an die Messdaten
• Ortsaufgelöste Analyse von Dunkelstrombeiträgen sowie von Material- und Bauelementparametern
• Vergleich und Auswertung mehrerer Probenserien

Weitere Informationen

Unternehmen

Thesius Inspiration

Bereich/Abteilung

Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik

Abschlussart

Masterarbeit

Branche

Elektrotechnik

Anforderungen

• Master-Studiengang in Mikrosystemtechnik, Physik oder Elektrotechnik
• Kenntnisse in Festkörperphysik
• Interesse und Spaß an experimenteller Arbeit und theoretischer Modellierung
• Teamfähigkeit, Offenheit und Motivation zu eigenständiger, zielgerichteter Arbeit

Zusatzinformationen

Herr Dr. Robert Rehm
Tel.: 0761/5179108
Freiburg 59-353
http://www.iaf.fraunhofer.de