Erforschung von Tunnel-Kontakten für elektronische Bauelemente

Im Rahmen dieser Masterarbeit sollen Tunnelkontakte für elektronische Bauelemente erforscht werden. Dies ist ein neuer Ansatz für Bauelementkontakte, insbesondere für Source und Drain von Nanotransistoren. Diese Kontakte sollen auf verschiedenen Halbleitern, insbesondere Si, Ge und GeSn, erforscht werden. Es ist bereits gezeigt worden, dass mit einer dünner Oxidschicht (z.B. 1-2 nm Al2O3) Fermi Level Pinning für Ge aufgehoben werden kann. Die Entwicklung ist noch am Anfang, so dass es nur wenig Literatur hierzu gibt. Bei Interesse schicken wir Literatur zu. Mittels spezieller Messstrukturen, sogenannte TLM Strukturen, sollen die Kontaktwiderstände gemessen werden. Verschiedene Oxide und Metalle sollen erprobt werden, um möglichst optimale Tunneleigenschaften zu erzielen. Diese hängen neben der Schichtdicke, von den Oxideigenschaften (Austrittsarbeit), der Dotierung und der elektronischen Struktur des Halbleiters ab. Die Oxid-Schichten werden mit Atomic layer deposition (ALD) deponiert. Die Prozessierung der Teststrukturen wird im neuen Reinraum der Helmholtz Nanofacility erfolgen. Gute Kenntnisse der Festkörperphysik sind erwünscht.

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Unternehmen

Thesius Inspiration

Bereich/Abteilung

PGI-9 - Halbleiter-Nanoelektronik

Abschlussart

Bachelorarbeit

Branche

Elektrotechnik

Schlagwörter

Fermi Level Pinning Halbleiter Nanotransistoren Drain Source Bauelemente Festkörperphysik Elektronik Tunnel-Kontakte

Anforderungen

Gute Kenntnisse der Festkörperphysik sind erwünscht.

Zusatzinformationen

Masterarbeit

Ausschreibendes Institut: PGI-9 - Halbleiter-Nanoelektronik
Kennziffer: D108/2014, Physik, Festkörperphysik